差压变送器

一、工作原理

博锐(智能)单晶硅压力变送器采用世界上**的单晶硅压力传感器技术与**封装工艺，精心研制出的一款国际**技术的超高性能压力变送器。单晶硅压力传感器位于金属本体*顶部，远离介质接触面，实现机械隔离和热隔离；玻璃烧结一体的传感器引线实现了与金属基体的高强度电气绝缘，提高了电子线路的灵活性能与耐瞬变电压保护的能力。这些独创的单晶硅压力传感器封装技术确保了Focp(智能)单晶硅压力变送器可从容应对极端的化学场合和机械负荷，同时具备极强的抗电磁干扰能力，足以应对苛刻的工业环境应用，是名副其实的隐形仪表。

二、产品特点

◆**的单晶硅压力传感器技术与**封装工艺，精心研制出的一款国际** 技术的高性能压力变送器 

◆双膜片过载结构，从容应对高过载考验 

◆用集成电路与表面封装技术的信号变送模块，性能强大的24位ADC实现高精 度与快速应答 

◆显示模块可355°旋转，按键参数操作功能友好 

◆按键参数设置不影响电气防护等级，更安全、更快捷 

◆高性能Focbar单晶硅压力变送器，国际**技术与中国智造的完美结合 

◆坚固优质的不锈钢过程法兰，臻厚的加强结构，坚不可摧，高静压、高过载 的强大保障

三、技术参数

1、主要技术参数

2.量程及范围

 1、性能测试标准及基准条件

测试标准：GB/T28474/IEC60770；基准条件：从零点开始的量程；硅油充液，316L不锈钢隔离膜片，4-20mA模拟输出，端基微调至设定值

2、性能指标

总体性能包括并不限于【参考精度】、【环境温度影响】、【静压影响 】、和其它影响的综合误差 

典型精度：±0.075%量程上限 

年稳定性：±0.2%量程上限/5年

3、参考精度

依据标准和测试基准条件，包括线性（BFSL）、迟滞、重复性。校准温度：20℃±5℃

平方根输出精度为以上线性参考精度的1.5倍 

注1：TD（Turn down）是指量程比，当｜URV｜≥｜LRV｜时，TD=URL/｜URV｜当｜URV｜≤｜LRV｜时，TD=URL/｜LRV｜

4、环境温度影响

在-20-80℃范围内总影响量 ±（0.1+0.1TD）%量程上限

5、静压影响

零点影响：±0.15TD%量程上限/10MPa，满量程影响：±0.2%量程上限/10MPa

6、电源影响

当供电电压在10.5/16.5-55VDC内变化， 其零点和量程的变化应不超过 ±0.005%量程上限/V

7、安装位置影响

任意位置安装，*大不超过400Pa可通过清零功能校正

8、振动影响

按GB/T1827.3/IEC61298-3测试，＜0.1%量程上限

9、输出信号

二线制4-20mA，用户可选线性输出或平方根输出，数字过程变量叠加于4-20mA信号上，适用于任何符合HART协议的主机

五、规格参数

1、时间指标

总阻尼时间常数：等于电子线路部件和传感膜盒阻尼时间常数之和

电子线路部件阻尼时间：0-100S 范围可调

传感膜盒（隔离传感膜片和硅油填充液）阻尼时间：≤0.2S

断电后上电启动时间：≤6S

数据恢复至正常使用时间：≤31S

2、重量

净重：约4kg（无安装支架，过程连接配件）

3、环境条件

净重：约4kg（无安装支架，过程连接配件）

使用环境温度范围：-40-85℃，一体化LCD显示：-20-70℃

储存环境温度范围：-40-110℃，一体化LCD显示：-40-85℃

测量介质温度范围：充硅油传感器：-40-120℃，充氟油传感器：-10-80℃

使用环境湿度范围：5-****RH@40℃

防护等级：IP67

六、电源